中国が100GBシリコンフォトニクス光トランシーバーチップの開発に成功

中国信息通信科技集団が発表した情報によると、中国が独自開発した「100GBシリコンフォトニクス光トランシーバーチップ」がこのほど湖北省武漢市で生産をスタートさせた。またユーザーの既存ネットワークでのテストに合格しており、信頼できる安定的な性能を備えているという。これは中国の商用100GBシリコンフォトニクス光トランシーバーチップが正式に開発に成功したことを意味し、中国の自主シリコンフォトニクス光トランシーバーチップ技術を新たな段階に押し上げることになる。新華社が伝えた。

同製品は国家信息光電子革新センターと光ファイバー通信技術・ネットワーク国家重点実験室、武漢光迅科技股フン有限公司（フンはにんべんに分）、中国信息通信科技集団が共同開発した。30平方ミリメートルに満たない小さなシリコンチップの中に、光送信、調整、光受信などの能動光部品と受動光部品を60近く集積している。超小型、高性能、低コスト、汎用化などのメリットを持ち、通信網やデータセンター光伝送装置に広く応用できる。

国家信息光電子革新センター専門家委員会主任で中国工程院院士の余少華氏は、「今回の実用化は、中国が商用化設計の条件と基礎を備えたことを意味する。同技術は将来的に光通信システムの中で大規模に使用・応用される。中国独自の同技術における超高速、超大容量、超長距離、高集積度、高性能、低エネルギー消費、高信頼性の方向への発展を促す」と述べた。（編集YF）

「人民網日本語版」2018年8月31日